[发明专利]用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置

摘要

本发明涉及一种用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置。所述用于形成二氧化硅层的组成物包含含硅聚合物和溶剂，其中所述含硅聚合物在¹H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和。所述Si‑H积分值的所述和在说明书中描述的条件下计算。本发明的用于形成二氧化硅层的组成物能够减少在固化期间产生的出气的量，获得具有最小缺陷的二氧化硅层。

主权项

1.一种用于形成二氧化硅层的组成物，包括：含硅聚合物，和溶剂，其中所述含硅聚合物在¹H‑NMR光谱中具有小于或等于12的Si‑H积分值的总和，并且所述Si‑H积分值的总和通过条件1中提供的以下步骤S1和步骤S2计算：[条件1]步骤S1：通过添加所述含硅聚合物到二丁醚溶剂中以制备固体含量是15重量％±0.1重量％的样品1，然后用CDCl₃溶剂将所述样品1稀释20％，以制备样品2，和步骤S2：在300MHz下测量所述样品2的¹H‑NMR光谱，以计算Si‑H₁、Si‑H₂以及Si‑H₃的积分值的总和，重复计算所述Si‑H₁、Si‑H₂以及Si‑H₃的积分值的总和三次以获得三个测量值，将所述三个测量值平均，以获得所述Si‑H积分值的总和，其中计算所述Si‑H₁、Si‑H₂以及Si‑H₃的积分值的总和的方法如下：设定所述二丁醚溶剂的积分值是40，分别计算对应于所述含硅聚合物中所存在的Si‑H₁和Si‑H₂的峰的积分值和对应于Si‑H₃的峰的积分值，对对应于Si‑H₁和Si‑H₂的峰的积分值和对应于Si‑H₃的峰的积分值求和，以获得所述Si‑H₁、Si‑H₂以及Si‑H₃的积分值的总和；并且以Si‑H的总量计，Si‑H₃部分以15重量％到35重量％的量包含在内。