[发明专利]一种微通道型入射窗及其制作方法有效
| 申请号： | 201510941403.0 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105448638B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王兴;田进寿;白永林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J40/06 | 分类号： | H01J40/06;H01J43/04;H01J9/12;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于光电探测技术领域，尤其涉及一种微通道型入射窗及其制作方法。该微通道型入射窗包括入射窗基体，入射窗基体为蜂窝式结构，蜂窝式结构包括多个通孔，通孔采用先普通光刻再离子束刻蚀的工艺形成或者是采用先普通光刻再酸法腐蚀的工艺形成；入射窗基体表面以及多个通孔内均沉积有光电阴极层。具体实现方法是首先清洗入射窗基体，再次在入射窗基体上刻蚀蜂窝式结构、二次清洗刻蚀过蜂窝结构的入射窗基体，最后在入射窗基体表面以及蜂窝式结构上制备光电阴极层。该入射窗的优点是将传统的光电阴极制备与微通道板电子倍增技术结合，实现了直接通过微通道型光电阴极技术进行光电转换及电子倍增的功能，简化了光电探测器件的结构，降低了器件的成本，同时也大大提高了光电阴极量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 入射 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微通道型入射窗，其特征在于：包括入射窗基体，所述入射窗基体为蜂窝式结构，蜂窝式结构包括多个通孔，通孔采用先普通光刻再离子束刻蚀的工艺形成或者是采用先普通光刻再酸法腐蚀的工艺形成；入射窗基体表面以及多个通孔内均沉积有光电阴极层。
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