[发明专利]采用CMP工艺制作大通孔晶圆转接板的方法

摘要

本发明涉及一种采用CMP工艺制作大通孔晶圆转接板的方法，包括以下步骤：（1）在晶圆背面通过光刻工艺制作出RDL走线图形，得到RDL区域；再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形，在TSV孔开口图形刻蚀出TSV孔；（2）晶圆的背面沉积绝缘层，绝缘层覆盖晶圆的背面、RDL区域的侧壁和底部、以及TSV孔的侧壁和底部；然后在晶圆背面的绝缘层上制作金属薄膜；（3）采用CMP工艺研磨晶圆背面直到露出绝缘层，使RDL区域的金属薄膜与晶圆背面的绝缘层平齐，从而在RDL区域形成RDL线路；最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔的底部开口露出来。本发明避免了先开TSV孔后进行光刻的工艺流程，使TSV转接板工艺更加可靠，降低成本。

主权项

1.一种采用CMP工艺制作大通孔晶圆转接板的方法，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆（1）背面通过光刻工艺制作出RDL走线图形，得到RDL区域（2）；再经光刻工艺制作出TSV孔开口图形（3），在TSV孔开口图形（3）刻蚀出TSV孔（4）；所述步骤（1）具体采用以下工艺：步骤1‑1、在晶圆（1）的背面涂光刻胶，经曝光显影露出RDL区域（2）的开口图形，再通过干法刻蚀或者湿法腐蚀工艺在RDL区域（2）的开口图形处对晶圆（1）背面进行刻蚀形成RDL区域（2）；步骤1‑2、在制作好RDL区域（2）的晶圆（1）背面涂光刻胶，经曝光显影露出TSV孔开口图形（3）；步骤1‑3、在TSV开口图形（3）处对晶圆（1）的背面进行干法刻蚀，形成TSV孔（4）；步骤1‑4、去除晶圆（1）背面的光刻胶，并对晶圆（1）的背面和TSV孔（4）进行清洗；（2）晶圆（1）的背面沉积绝缘层（5），绝缘层（5）覆盖晶圆（1）的背面、RDL区域（2）的侧壁和底部、以及TSV孔（4）的侧壁和底部；然后在晶圆（1）背面的绝缘层（5）上制作金属薄膜（6）；（3）采用CMP工艺研磨晶圆（1）背面直到露出绝缘层（5），使RDL区域（2）的金属薄膜（6）与晶圆（1）背面的绝缘层（5）平齐，从而在RDL区域（2）形成RDL线路；最后采用TSV背部露头工艺使TSV孔（4）的底部开口露出来；所述步骤1‑1中，RDL区域（2）的刻蚀深度为100nm~ 30μm；所述TSV孔（4）的开口宽度为5mm，深度为100nm~500μm；所述步骤（2）具体采用以下工艺：步骤2‑1、在晶圆（1）背面沉积绝缘层（5），使绝缘层（5）覆盖在晶圆（1）的背面、RDL区域（2）的侧壁和底部、以及TSV孔（4）的侧壁和底部；晶圆（1）背面绝缘层（5）厚度为50nm~5μm，TSV孔（4）底部绝缘层（5）厚度为100nm~2μm；步骤2‑2、在晶圆（1）背面沉积金属薄膜（6），金属薄膜（6）覆盖晶圆（1）背面的绝缘层（5）；所述金属薄膜（6）未完全填充TSV孔。