[发明专利]具有由掺杂硅墨水形成的掺杂表面触点的硅衬底和相应的方法在审
申请号: | 201510943186.9 | 申请日: | 2012-01-23 |
公开(公告)号: | CN105448676A | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
发明(设计)人: | 刘国钧;乌马·斯里尼瓦桑;希夫库马尔·基鲁沃卢 | 申请(专利权)人: | 纳克公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/228;H01L31/068;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及具有由掺杂硅墨水形成的掺杂表面触点的硅衬底和相应的方法。使用掺杂硅纳米粒子墨水和其它液体掺杂物来源可提供适合的掺杂物来源,以便如果提供适合的帽盖,就使用热工艺将掺杂物元素驱入晶体硅衬底中。适合的帽盖包括例如盖板、可能搁置于或可能不搁置于所述衬底的表面上的覆盖物、和覆盖层。可达成所需的掺杂物分布。所述掺杂纳米粒子可使用硅墨水传递。残留硅墨水可在掺杂物驱入后去除或至少部分致密化为并入产品装置中的硅材料。所述硅掺杂适合于将掺杂物引入晶体硅中以形成太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 具有 掺杂 墨水 形成 表面 触点 衬底 相应 方法 | ||
【主权项】:
一种用于使硅衬底掺杂的方法,所述方法包含:将包含掺杂物元素的掺杂物墨水沉积于所述硅衬底上以形成掺杂沉积物;在所述硅衬底上的所述掺杂沉积物上形成无机盖层;和加热所述硅衬底以将掺杂物原子驱入所述硅衬底中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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