[发明专利]三维相变存储器存储单元的制备方法在审
| 申请号： | 201510943745.6 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105428528A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 亢勇;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种三维相变存储器存储单元的制备方法。一种三维相变存储器存储单元的制备方法，该方法包括：提供一衬底，于衬底上制备贯穿第一绝缘层的若干金属字线，并继续在金属字线之上制备辅助层；于辅助层之上沉积多晶硅层，并对多晶硅层进行第一类型离子注入后，去除部分多晶硅层至第一绝缘层的上表面，并保留位于金属子线之上的多晶硅层和辅助层，形成多个存储单元；制备第二绝缘层覆盖第一绝缘层暴露的表面，并将保留的多晶硅层的上表面予以暴露；对保留的多晶硅层进行第二类型离子注入，以在该保留的多晶硅层中形成选通二极管的PN结；其中，重复上述工艺以制备可堆叠的选通二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 相变 存储器 存储 单元 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维相变存储器存储单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，于所述衬底上制备贯穿第一绝缘层的若干金属字线，并继续在所述金属字线之上制备辅助层；于所述辅助层之上沉积多晶硅层，并对所述多晶硅层进行第一类型离子注入后，去除部分所述多晶硅层至所述第一绝缘层的上表面，并保留位于所述金属子线之上的所述多晶硅层和所述辅助层，形成多个存储单元；制备第二绝缘层覆盖第一绝缘层暴露的表面，并将保留的所述多晶硅层的上表面予以暴露；对保留的多晶硅层进行第二类型离子注入，以在该保留的多晶硅层中形成选通二极管的PN结；其中，重复上述工艺以制备可堆叠的选通二极管。
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