[发明专利]一种中压电缆的屏蔽结构

摘要

本发明涉及一种电缆屏蔽结构，从内到外依次设置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层，所述铜丝疏绕层由根数为n，直径为d1的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向，且每两根相邻铜丝之间的间距为l1，铜丝的疏绕节距S1，疏绕外径D1；所述铜带屏蔽层由厚度为d2，宽度为b2的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为左向，铜带的绕包节距为S2；所述无纺布绕包层由1层厚度为d3，宽度为b3的无纺布绕包而成，无纺布绕包方向为右向，无纺布的绕包节距为S3；其中d1=1.03mm，l1≤4mm，（n‑1）×l1+2×d1≤S1≤6D1；d2=0.1mm，b2=40mm，b2/3≤S2≤b2，d3=0.2mm，b3=50mm，S3=32mm。本发明通过优化屏蔽层中铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层的结构，来降低屏蔽抑制系数进而提高屏蔽层的屏蔽效果。

主权项

一种中压电缆的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括三层构成，从内到外依次设置有铜丝疏绕层、铜带绕包层、无纺布绕包层，其特征在于，所述铜丝疏绕层由根数为n，直径为d1的铜丝疏绕而成，铜丝的疏绕方向为右向，且每两根相邻铜丝之间的间距为l1，铜丝的疏绕节距S1，疏绕外径D1；所述铜带屏蔽层由厚度为d2，宽度为b2的铜带绕包而成，铜带的绕包方向为左向，铜带的绕包节距为S2；所述无纺布绕包层由1层厚度为d3，宽度为b3的无纺布绕包而成，无纺布绕包方向为右向，无纺布的绕包节距为S3；其中d1=1.03mm，l1≤4mm，（n‑1）×l1+2×d1≤S1≤6D1；d2=0.1mm，b2=40mm，b2/3≤S2≤b2，d3=0.2mm，b3=50mm，S3=32mm。