[发明专利]制造包括金属氮化物层的半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201510947758.0 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105719967A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | J.P.康拉特;R.舍尔纳;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及制造包括金属氮化物层的半导体器件的方法和半导体器件。制造半导体器件的方法包括将氮引入到金属层中或引入到金属氮化物层中，金属层或金属氮化物层被形成为与半导体材料接触。半导体器件包括半导体材料以及与半导体材料接触的金属氮化物层。金属氮化物具有大于金属氮化物中氮的溶解度限制的氮含量。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 金属 氮化物 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将氮引入到金属氮化物层中或引入到金属层中，金属氮化物层或金属层被形成为与半导体材料接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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