[发明专利]单晶硅生长炉有效
| 申请号： | 201510947963.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106894082B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李秦霖;宋洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅生长炉，其特征在于在石墨坩埚口上设有分流导流筒，且在主加热器周围设有竖直分流筒，使氩气气流被竖直分流筒分隔成两股，一股进入竖直分流筒内经过主加热器排出腔体，另一股直接从竖直分流筒外排出腔体；并可通过排气阀门调整两股气流的流量，从而调整热场的分布以及减少热量散失。本发明的单晶硅生长炉，能显著降低功耗，缩短晶锭生长周期，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 分流筒 竖直 单晶硅生长炉 主加热器 降低功耗 两股气流 排气阀门 热量散失 生长周期 石墨坩埚 氩气气流 导流筒 排出腔 出腔 分隔 晶锭 热场 外排 分流 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长炉，其特征在于在石墨坩埚口上设有分流导流筒，且在主加热器周围设有竖直分流筒，使氩气气流被竖直分流筒分隔成两股，一股通过进入竖直分流筒内经过主加热器排出腔体，另一股直接从竖直分流筒外排出腔体；并可通过排气阀门调整两股气流的流量，调整热场的分布以及热量散失；所述竖直分流筒的内侧和外侧分别设有独立的排气口，并接有排气阀。
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