[发明专利]基于Parylene的微孔滤膜制备方法有效
申请号: | 201510950115.1 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN105478022B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 杜妙璇;张晓磊;李志涛;杨志 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | B01D71/72 | 分类号: | B01D71/72;B01D67/00;B01D61/14 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 王占华 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于Parylene的微孔滤膜制备方法,涉及以材料为特征的用于分离工艺或设备的膜技术领域。所述方法包括基底圆片准备、Parylene制备、金属层制备、微孔图形光刻、显影操作、金属微孔制备、光刻胶去除、干法刻蚀微孔滤膜、金属层去除、微孔滤膜制备。本发明的微孔滤膜孔径3um‑50um,厚度0.1um‑100um,在室温环境下进行,干法工艺制备,操作简单,成本低,制作周期短,热稳定性和化学稳定性好,均匀性好,化学毒性和生物毒性合格,无介质脱落,适用范围广。 | ||
搜索关键词: | 制备 微孔滤膜 金属层 微孔滤膜孔径 光刻胶去除 化学稳定性 分离工艺 干法工艺 干法刻蚀 化学毒性 基底圆片 金属微孔 均匀性好 热稳定性 生物毒性 室温环境 制作周期 图形光 无介质 微孔 显影 去除 | ||
【主权项】:
1.一种基于Parylene的微孔滤膜制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)Parylene膜制备:在硅圆片(1)表面制备Parylene膜(2);2)金属层制备:在Parylene膜(2)上沉积制备金属层(3),用于作为微孔刻蚀的金属掩膜;3)微孔图形光刻:用微孔掩膜版在Parylene膜上表面的金属层光刻微孔图形,所述微孔掩膜版包括非感光区(4)和感光区(5),其中,用微孔掩膜版在Parylene膜上表面的金属层光刻微孔图形包括:在硅圆片的金属层表面涂覆正性光刻胶、对涂覆了正性光刻胶的硅圆片进行烘烤、通过微孔掩膜版对烘烤后的硅圆片进行曝光;4)显影操作:硅圆片在显影液中显影,并在显影后,去除感光区的光刻胶(6),形成带胶区域(7)和无胶区域(8)的微孔图形;5)金属微孔制备:硅圆片浸泡在腐蚀液中,去除无胶区域下的金属层,形成微孔状金属掩膜;6)光刻胶去除:硅圆片浸泡在丙酮中,去除表面的光刻胶(6);7)干法刻蚀微孔滤膜:以去除光刻胶后的微孔状金属掩膜作为本次刻蚀的掩膜,控制微孔的孔径尺寸,基于深反应离子刻蚀原理刻蚀Parylene膜(2),使无金属掩膜区域下的Parylene被完全刻蚀干净,形成微孔滤膜;8)金属层去除:硅圆片浸泡在腐蚀液中,去除表面金属层;9)微孔滤膜制备:硅圆片浸泡在氢氧化钾溶液中,使微孔滤膜从硅圆片表面自然剥落,最终得到微孔滤膜(9);所述步骤9)中:硅圆片浸泡在氢氧化钾溶液中1min‑2min,用于剥落微孔滤膜的氢氧化钾溶液为体积比=1:20的氢氧化钾:去离子水溶液;所述步骤7)中,氧气作为刻蚀Parylene的反应气体,采用双射频源RF1和RF2控制刻蚀过程,其中RF1射频源用于引起氧气气体辉光放电,产生等离子体,RF2射频源用于给等离子体提供加速刻蚀的能量,刻蚀过程包括氧等离子体对Parylene的物理轰击,以及氧与Parylene的化学反应,最终形成微孔结构;通过调整工作压力、反应温度和RF2射频源功率有效改变Parylene的刻蚀速率和微孔侧壁形貌,进而控制微孔孔径大小;所述步骤2)中:所述金属层(3)为铝金属层,厚度为![]()
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