[发明专利]半导体制造方法有效

申请号：	201510952185.0	申请日：	2015-12-17
公开（公告）号：	CN106898540B	公开（公告）日：	2020-01-31
发明（设计）人：	林建宏;刘振宇	申请（专利权）人：	宸鸿光电科技股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/20;H01L23/00
代理公司：	11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾台北市内湖***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	一种半导体制造方法在此揭露，其中半导体层包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由熔融态或半熔融态的第一部分结晶形成，第二结晶部分由熔融态或半熔融态的第二部分结晶形成。第一结晶部分相邻或部分重叠第二结晶部分。第一部分是透过闪光灯与第一光罩以第一能量照射而变为熔融态或半熔融态。第二部分是透过闪光灯、闪光灯与第一光罩或者闪光灯与第二光罩，以第二能量照射而变为熔融态或半熔融态。本发明可利用闪光灯搭配光罩照射而达成较大面积的结晶之外，结晶的品质亦较佳。此外，本发明亦可达到同一材料的半导体层的不同部分具有不同的结晶特性，以提高实验元件电路的多样性。
搜索关键词：	半导体制造方法
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【主权项】：

1.一种半导体制造方法，其特征在于，包含：/n利用一闪光灯与一第一光罩，以一第一能量照射一半导体层的一第一部分，使该第一部分变为一熔融态或一半熔融态；/n结晶化该第一部分以形成一第一结晶部分；/n利用该闪光灯通过一全面透光的光罩以一第二能量照射该半导体层，其中该第二能量弱于该第一能量，使该半导体层不会变为该熔融态或该半熔融态，而是重新排列晶格；以及/n结晶化该半导体层的一第二部分以形成一第二结晶部分；/n其中该第一结晶部分相邻或部分重叠该第二结晶部分。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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