[发明专利]一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关在审
申请号: | 201510953020.5 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105388637A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 胡国华;戚志鹏;李磊;恽斌峰;张若虎;钟嫄;崔一平 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02F1/31;G02B6/122;G02B6/125;G02B6/28;G02B6/35 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 黄成萍 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关,包括一个硅脊型直波导,作为SOI基1×2热光开关与外接单模光纤的接口;一个拉锥型的硅脊型波导Y分支,作为1×2热光开关的3-dB光学分束器,用于将输入光波等量的分成两束;六个S形硅脊型弯曲波导,分别用于Y分支与两侧调制臂以及调制臂与定向耦合器的连接,并且将经过定向耦合器调制后的光输出;两个介质沉积型表面等离子波导,位于1×2热光开关的两侧调制臂上,用于MZI结构的相位调制;一个硅脊型波导的定向耦合器,用于对相位调制后的两束光进行多模干涉,将相位调制转化为强度调制。本发明具有响应快、集成化程度高、开关功耗低等特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 介质 沉积 表面 等离子 波导 soi mzi 开关 | ||
【主权项】:
一种基于介质沉积型表面等离子波导的SOI基MZI型1×2热光开关,其特征在于:包括一个硅脊型直波导(1)、一个拉锥型的硅脊型波导Y分支(2)、两个介质沉积型表面等离子波导(3)、一个硅脊型波导的定向耦合器(6)和六个S形硅脊型弯曲波导(8),硅脊型直波导(1)、拉锥型的硅脊型波导Y分支(2)、介质沉积型表面等离子波导(3)、硅脊型波导的定向耦合器(6)和S形硅脊型弯曲波导(8)均设置在二氧化硅缓冲层(5)之上,且每个介质沉积型表面等离子波导(3)分别连接两个电极引脚(4),通过电极引脚(4)引入外部电流:所述一个硅脊型直波导(1),作为SOI基MZI型1×2热光开关与外接单模光纤的接口,用于引入1550nm波长的输入光波;所述一个拉锥型的硅脊型波导Y分支(2),作为SOI基MZI型1×2热光开关的3‑dB光学分束器,用于将输入光波分为等量的两束子光波;所述两个介质沉积型表面等离子波导(3),作为SOI基MZI型1×2热光开关的调制臂,分别对两束子光波进行相位调制;所述一个硅脊型波导的定向耦合器(6),分别对相位调制后的两束子光波进行强度调制,产生两束输出光波;所述六个S形硅脊型弯曲波导(8),其中两个用于连接拉锥型的硅脊型波导Y分支(2)和介质沉积型表面等离子波导(3),另两个用于连接介质沉积型表面等离子波导(3)和硅脊型波导的定向耦合器(6),最后两个连接在硅脊型波导的定向耦合器(6)末端,作为SOI基MZI型1×2热光开关的两个输出接口,用于输出两束输出光波;S形硅脊型弯曲波导(8)与拉锥型的硅脊型波导Y分支(2)、介质沉积型表面等离子波导(3)和硅脊型波导的定向耦合器(6)之间采用端面对端面的贴合方式进行连接。
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