[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510953080.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106373997B | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 梁春昇;张世勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体制造的方法包括在衬底上方形成介电层。在介电层上形成伪栅极结构，伪栅极结构限定了伪栅极介电区域。蚀刻未包括在伪栅极介电区域中的部分介电层以形成介电回蚀刻区域。在部分介电回蚀刻区域上形成间隔件元件，间隔件元件邻接伪栅极结构并且限定了间隔件介电区域。伪栅极介电区域的高度大于间隔件介电区域的高度。在衬底中形成凹进部分，在凹进部分上方选择性地生长应变材料以形成邻近间隔件介电区域的应变凹进区域。去除伪栅极结构和伪栅极介电区域。形成栅电极层和栅极介电层。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造的方法，包括：在衬底上方形成介电层；在所述介电层上形成第一伪栅极结构，从而使得所述介电层包括设置在所述第一伪栅极结构下方并且由所述第一伪栅极结构限定的第一栅极介电区域；蚀刻未包括在所述第一栅极介电区域中的部分所述介电层以形成邻近所述第一栅极介电区域的介电回蚀刻区域；在部分所述介电回蚀刻区域上和所述第一伪栅极结构的侧壁上形成第一间隔件元件，其中，所述第一间隔件元件邻接所述第一伪栅极结构，部分所述介电回蚀刻区域包括设置在所述第一间隔件元件下方并且由所述第一间隔件元件限定的第一间隔件介电区域，并且所述第一栅极介电区域的高度大于所述第一间隔件介电区域的高度；在所述衬底中形成第一凹进部分；在所述衬底中的所述第一凹进部分上方选择性地生长应变材料以形成第一应变凹进区域，其中，所述第一应变凹进区域邻近所述第一间隔件介电区域；去除所述第一伪栅极结构和所述第一栅极介电区域以形成第一开口；以及在所述第一开口中形成包括栅电极层和栅极介电层的第一栅极结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510953080.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
