[发明专利]静电卡盘机构以及半导体加工设备

摘要

本发明提供的静电卡盘机构以及半导体加工设备，其包括基座、边缘组件、主体静电加热层和边缘静电加热层，其中，基座包括用于承载晶片的承载面，以及环绕在承载面周围、且位于晶片边缘处的台阶面，且台阶面低于承载面。边缘组件包括聚焦环、基环和绝缘环，聚焦环环绕设置在台阶面上；绝缘环设置在基座底部，并支撑基座。主体静电加热层设置在承载面上，用以静电吸附晶片，并调节晶片的温度。边缘静电加热层设置在台阶面上，用以静电吸附聚焦环，并调节聚焦环的温度。本发明提供的静电卡盘机构，其可以单独地调节晶片中心区域和边缘区域的温度，从而可以实现对晶片边缘区域和中心区域之间的温度差异进行补偿，进而可以提高工艺均匀性。

主权项

一种静电卡盘机构，包括基座和边缘组件，其中，所述基座包括用于承载晶片的承载面，以及环绕在所述承载面周围、且位于所述晶片边缘处的台阶面，且所述台阶面低于所述承载面；所述边缘组件包括聚焦环、基环和绝缘环，所述聚焦环环绕设置在所述台阶面上；所述基环环绕设置在所述基座的外周壁上；所述绝缘环设置在所述基座底部，并支撑所述基座；其特征在于，所述静电卡盘机构还包括主体静电加热层和边缘静电加热层，其中，所述主体静电加热层设置在所述承载面上，用以静电吸附所述晶片，并调节所述晶片的温度；所述边缘静电加热层设置在所述台阶面上，用以静电吸附所述聚焦环，并调节所述聚焦环的温度。