[发明专利]FinFET器件和形成方法

摘要

一种FinFET器件和形成方法。根据一些实施例，器件包括第一p型晶体管和第二p型晶体管。第一晶体管包括包含第一鳍的第一材料的第一沟道区。第一晶体管包括每个均位于第一材料中的相应的第一凹槽中和第一沟道区的相对侧壁上的第一外延源极/漏极区和第二外延源极/漏极区。第一晶体管包括位于第一沟道区上的第一栅极堆叠件。第二晶体管包括包含第二鳍的第二材料的第二沟道区。第二材料是与第一材料不同的材料。第二晶体管包括每个均位于第二材料中的相应的第二凹槽中和第二沟道区的相对侧壁上的第三外延源极/漏极区和第四外延源极/漏极区。第二晶体管包括位于第二沟道区上的第二栅极堆叠件。本发明的实施例还涉及FinFET器件和形成方法。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管器件，包括：第一p型晶体管，包括：第一沟道区，位于衬底上并且包括第一鳍的第一材料，第一外延源极/漏极区和第二外延源极/漏极区，每个所述第一外延源极/漏极区和所述第二外延源极/漏极区均位于所述第一材料中的相应的第一凹槽中，所述第一沟道区设置在所述第一外延源极/漏极区和所述第二外延源极/漏极区之间，和第一栅极堆叠件，位于所述第一沟道区上；以及第二p型晶体管，包括：第二沟道区，位于所述衬底上并且包括第二鳍的第二材料，所述第二材料是与所述第一材料不同的材料，第三外延源极/漏极区和第四外延源极/漏极区，每个所述第三外延源极/漏极区和所述第四外延源极/漏极区均位于所述第二材料中的相应的第二凹槽中，所述第二沟道区设置在所述第三外延源极/漏极区和所述第四外延源极/漏极区之间，和第二栅极堆叠件，位于所述第二沟道区上。