[发明专利]一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法

摘要

一种单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，先将制备有Zn种子层的生长基底置于400～500℃退火0.15～1h；再配制0.1～0.5M的ZnO水热生长液；将退火后生长基底的生长面朝下倾斜置于反应釜中，加入ZnO水热生长液，将反应釜放入钢瓶中并进行密封，将钢瓶放入100℃恒温干燥箱中，制得ZnO纳米棒阵列；再将该生长基底于500℃退火1h；将退火后的生长基底置于管式炉中央，以CoCl₂粉作为Co的蒸发源，将管式炉抽真空至0.1～0.5Torr，再向管式炉通入载气，升温至400～700℃后，保温0.1～1h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列，十分利于气体吸附。本发明工艺稳定、普适性好，适用于多数柔性基底、导电基底，使其工业上实际应用成为可能，在燃料电池、催化等领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，具有如下步骤：(1)将生长基底通过拉膜法或磁控溅射法制备Zn种子层，随后将生长基底置于马弗炉中，于400℃退火，保温0.15～1h；(2)称取1.4019g六甲基四胺与Zn(NO3)2·6H2O，加入80～400mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.1～0.5M的ZnO水热生长液；(3)将步骤(1)退火后生长基底的生长面朝下倾斜置于反应釜中，加入步骤(2)的ZnO水热生长液，再将反应釜放入钢瓶中并进行密封，将钢瓶放入100℃恒温干燥箱中，反应1h，在生长基底上制得ZnO纳米棒阵列；(4)取出步骤(3)制备好ZnO纳米棒阵列的生长基底，置于马弗炉中，于500℃退火1h；(5)再将退火后的生长基底置于管式炉中央，将CoCl2粉作为Co的蒸发源放置于距生长基底逆气流方向2cm处，将管式炉抽真空至0.1～0.5Torr；(6)向管式炉通入N2，控制N2流量为30～200sccm，将管式炉升温至625℃后，保温0.1～1h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。