[发明专利]一种双面生长的InP五结太阳电池

摘要

本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底，InP衬底上表面设置有(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池，AlzGa1‑zAs子电池，GamIn1‑mP组分渐变缓冲层，InP子电池窗口层和InP子电池发射区层，InP衬底下表面设置有InP子电池背场层，GaInAsP子电池和GaInAs子电池。(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池和AlzGa1‑zAs子电池通过第四隧道结连接，GamIn1‑mP组分渐变缓冲层和InP子电池窗口层通过第三隧道结连接，InP子电池背场层和GaInAsP子电池通过第二隧道结连接，GaInAsP子电池和GaInAs子电池通过第一隧道结连接。

主权项

一种双面生长的InP五结太阳电池，包括双面抛光的InP衬底；该InP衬底包括一上表面和一下表面；其特征在于：所述InP衬底作为InP子电池基区层；在所述InP子电池基区层的上表面配置有InP子电池发射区层；在所述InP子电池发射区层的上表面配置有InP子电池窗口层；在所述InP子电池窗口层的上表面配置有GamIn1‑mP组分渐变缓冲层；在所述GamIn1‑mP组分渐变缓冲层的上表面配置有AlzGa1‑zAs子电池；在所述AlzGa1‑zAs子电池的上表面配置有(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池；其中：所述InP子电池窗口层的上表面和GamIn1‑mP组分渐变缓冲层之间通过第三隧道结连接；所述AlzGa1‑zAs子电池的上表面和(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池之间通过第四隧道结连接；在所述InP子电池基区层的的下表面配置有InP子电池背场层；在所述InP子电池背场层的下表面配置有GaInAsP子电池；在所述GaInAsP子电池的下表面配置有GaInAs子电池；所述InP子电池背场层的下表面和GaInAsP子电池之间通过第二隧道结连接；所述GaInAsP子电池的下表面和GaInAs子电池之间通过第一隧道结连接；所述AlzGa1‑zAs子电池和(AlxGa1‑x)yIn1‑yP子电池晶格匹配；所述InP子电池窗口层、InP子电池发射区层、InP子电池背场层、GaInAsP子电池和GaInAs子电池晶格匹配；所述GamIn1‑mP组分渐变缓冲层的m值从上至下在0.52～0区间渐变，对应的晶格常数从与AlzGa1‑zAs匹配渐变为与InP匹配，即是在区间渐变。