[发明专利]一种高开关比阻变存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510957045.2 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105514268A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 罗文博;张平;帅垚;潘忻强;孙翔宇;吴传贵;朱俊;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发属于CMOS超大规模集成电路中的非挥发存储器的改性及其制造技术领域，具体涉及一种高开关比阻变存储器及其制备方法。该高开关比阻变存储器，自上而下依次包括顶电极、阻变材料层、底电极、粘接层、衬底。阻变材料层为三层同质结的金属氧化物构成，且该三层同质结金属氧化物结构的中间层氧空位浓度大于两边层。衬底采用表面热氧了一层SiO2的Si衬底。本发明通过控制三层同质结的生长氧分压，从而导致它们的氧空位浓度不同，能够是氧空位更易发生移动，以得到较高的开关比，从而使得不同信息间的存储状态更好地区分开，进而避免串扰现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 开关 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高开关比阻变存储器，自上而下依次包括顶电极、阻变材料层、底电极、粘接层和衬底，其特征在于：所述阻变材料层为三层同质结的金属氧化物构成，且该三层同质结金属氧化物结构的中间层氧空位浓度大于两边层；所述衬底采用表面热氧了一层SiO2的Si片。
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