[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板在审
申请号: | 201510957805.X | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN105529335A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 殷婉婷;涂望华 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。该阵列基板包括基板以及依序叠置在所述基板之上的多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极、第一间绝缘层、第二间绝缘层,以及设置在所述第二间绝缘层之上的源极和漏极;其中,所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面,使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面,所述源极远离基板一侧为一平面,且所述漏极远离基板一侧也为一平面。通过上述方式,能够减少寄生电容,保证电信号传输的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括基板以及依序叠置在所述基板之上的多晶硅沟道层、栅绝缘层、栅极、第一间绝缘层、第二间绝缘层,以及设置在所述第二间绝缘层之上的源极和漏极;所述栅绝缘层将所述多晶硅沟道层和栅极绝缘,所述源极和所述漏极均通过所述第二间绝缘层、第一间绝缘层、栅绝缘层与所述多晶硅沟道层连接,进而与所述栅极形成薄膜晶体管;其中,所述第一间绝缘层远离基板一侧与所述栅极远离基板一侧处于同一平面,使得所述第二间绝缘层远离基板一侧为一平面,所述源极远离基板一侧为一平面,且所述漏极远离基板一侧也为一平面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的