[发明专利]选择性氮化物蚀刻在审
| 申请号： | 201510957911.8 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105719949A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 伊凡·L·贝瑞三世;伊夫兰·安格洛夫;琳达·马克斯;费萨尔·雅各布;皮利翁·帕克;海伦·H·朱;贝尤·阿特马加·西德乔伊斯沃罗;李昭 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及选择性氮化物蚀刻。提供了高选择性蚀刻氮化硅的方法。使氮化硅层暴露于氟化气体和一氧化氮(NO)，一氧化氮(NO)可以在等离子体中通过使一氧化二氮(N2O)与氧气(O2)反应形成。方法还包括在关闭所述等离子体之前使所述衬底脱氟以增大氮化硅的蚀刻选择率。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 氮化物 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种蚀刻衬底上的氮化硅的方法，该方法包括：(a)将一氧化二氮(N2O)、氧气(O2)和氟化气体引入并点燃等离子体以形成蚀刻物质；以及(b)使所述氮化硅暴露于所述蚀刻物质以在所述衬底上相对于其它含硅材料选择性地蚀刻所述氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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