[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510958441.7 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105428483A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;王良均;刘晓峰;叶大千;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光强度均匀的二极管结构设计，该外延片结构由下至上包括：衬底，N型层，多量子阱有源区，P型层；随后进行芯片工艺制备，在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值，通过控制电流调整结构在N型层汇总占用体积、横向和纵向蚀刻深度，降低了临近N电极位置的载流子聚集效应，使更多的载流子流向靠近P电极位置，增加N型层中流向靠近P电极位置电子数量，使同一LED芯片不同位置发光更加均匀；同时由于载流子聚集效应得到缓解，LED可靠性得到进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底，依次形成于该衬底上的N型层、多量子阱有源区、P型层，分别形成于该P型层、N型层表面上的P电极与N电极，其特征在于：在所述N型层中临近N电极位置设置电流调整结构，该电流调整结构增加所述N型层中临近N电极位置区域的电阻值。
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