[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510959027.8 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN106024061B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 元嘇规;金明寿;车载元 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种操作半导体存储器件的方法包括：将编程脉冲施加至多个页中的每个页至少一次；通过初始测试电压来对所述多个页之中的参考页执行预读取操作；通过控制初始测试电压来重复预读取操作，直到预读取操作的结果是通过为止；将预读取操作的结果是通过时的初始测试电压设置为参考测试电压；以及通过利用参考测试电压对所述多个页执行读取操作来检测所述多个页之中的缺陷页。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：将编程脉冲施加至多个页中的每个页至少一次；通过初始测试电压来对所述多个页之中的参考页执行预读取操作；通过控制初始测试电压来重复预读取操作，直到预读取操作的结果是通过为止；将预读取操作的结果是通过时的初始测试电压设置为参考测试电压；以及通过利用参考测试电压对所述多个页执行读取操作来检测所述多个页之中的缺陷页。
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