[发明专利]一种凸台高度可变的压接式IGBT模块有效

专利信息
申请号: 201510959099.2 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN105514095B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 唐新灵;崔翔;赵志斌;张朋;李金元;温家良 申请(专利权)人: 华北电力大学;国网智能电网研究院;国家电网公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/367
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102206*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块,包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极,下端金属电极的内侧面上分布有凹槽,每个凹槽中容纳一凸台,所述凸台底部为向上凹陷的凹面;所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小,对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低,提高了器件的使用性能。
搜索关键词: 一种 高度 可变 压接式 igbt 模块
【主权项】:
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