[发明专利]Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料

摘要

Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储材料属于微电子领域。本发明通过对Ge-Sb-Te或Sb-Te相变材料掺杂Gd元素，提出一种提高Ge-Sb-Te和Sb-Te相变性能的技术和薄膜制备方法，其化学结构式为Gd_100-x-y-z(Ge_xSb_yTe_z)，其中0≤x，80<x+y+z<100。Gd-Ge-Sb-Te和Gd-Sb-Te相变存储薄膜材料的优点在于通过掺杂非常少的Gd元素即可获得优异的性能，具有更高的热稳定性和晶态电阻，非晶态与晶态之间电阻差异明显，有望获得更好的数据保持能力。

主权项

一种用于相变存储器的Gd‑Ge‑Sb‑Te或Gd‑Sb‑Te相变存储材料，是在Ge‑Sb‑Te或Sb‑Te相变存储材料中掺入Gd而成，其化学通式为Gd_{100‑x‑y‑z}(Ge_xSb_yTe_z)，其中0≤x<40,0<y<40,40<z<80,80<x+y+z<100；化学通式中元素的右下角部分代表摩尔比。