[发明专利]一种多晶碳化硅薄膜的生长方法在审
| 申请号： | 201510960178.5 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105543795A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张宇锋;胡启涛;林南英;李晓军 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种多晶碳化硅薄膜的生长方法，涉及碳化硅薄膜。提供可有效减少碳化硅薄膜内部的杂质和缺陷，避免薄膜中因为较大的张应力造成薄膜破裂现象，显著提高碳化硅薄膜质量的一种多晶碳化硅薄膜的生长方法。将清洗后的衬底送入磁控溅射仪溅射，溅射结束后降温，形成非晶碳化硅薄膜样品，退火后即得多晶碳化硅薄膜。采用磁控溅射设备在掺铝氧化锌衬底上制备多晶碳化硅薄膜样品，通过控制生长参数，得到尺寸均匀碳化硅薄膜，制备过程简单、工艺稳定、重复性好、无需使用有毒或危险气体，而且制得的多晶碳化硅薄膜沉积速率高、致密性好。可以应用于微电子、光伏行业。具有成本低、易于大面积生产、无污染等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 碳化硅 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶碳化硅薄膜的生长方法，其特征在于其具体步骤如下：将清洗后的衬底送入磁控溅射仪溅射，溅射结束后降温，形成非晶碳化硅薄膜样品，退火后即得多晶碳化硅薄膜。
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