[发明专利]中低倍聚光太阳电池的生产工艺以及太阳电池片

摘要

本发明公开了一种中低倍聚光太阳电池的生产工艺以及太阳电池片，首先在生产的125mm*125mm或156*156mm的晶硅太阳电池片上制备了多个中低倍聚光太阳电池单元，利用金刚石或激光可以将这些聚光太阳电池单元从晶硅太阳电池片上切割下来。该生产工艺在原有的普通晶硅太阳电池生产工艺上进行了改进，进而实现了利用普通晶硅太阳电池生产设备和工艺来生产低成本的可贴片式的中低倍聚光太阳电池。

主权项

中低倍聚光太阳电池的生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：a）、首先，在普通硅片上制备多个中低倍聚光太阳电池单元，所述多个中低倍聚光太阳电池单元在普通硅片上阵列布置，其具体制备方法是：来料硅片检测‑激光打孔，即导流柱孔‑硅片清洗‑硅片局部钝化‑受光表面制绒‑扩散制结‑去磷硅玻璃‑等离子刻蚀‑镀减反射膜‑丝网印刷‑快速烧结‑测试分选；其中，所述激光打孔是在合格的来料硅片预先通过激光在硅片上进行钻孔，用以将表面电极导通到背面电极，打孔深度为将硅片基体上下表面贯通为准；钻孔位置设置在每个中低倍聚光太阳电池单元两边的主栅线对应处，且沿主栅线的长度方向均匀分布；所述硅片局部钝化是对硅片受光区域之外的其他区域进行高温氧化处理，以形成限制光生载流子复合的钝化区域；所述硅片上被钝化的区域包括主栅线以及导流柱孔区域、硅片边缘区域以及中低倍聚光太阳电池单元之间间隔部分的区域，对硅片的钝化过程具体为：在900～1250度的温度范围内，在反应腔内通入氧气和氮气的混合气体，其中氧气的体积比例控制在5%～50%之间，硅表面与氧生成一层二氧化硅膜，成膜之后氧分子通过扩散通过二氧化硅层而达到二氧化硅与硅的界面，并继续与硅反应，再生成新的二氧化硅层，整个钝化过程需要60～90mins；在丝网印刷过程中，需要用导电银浆印刷在电池正面的有效主栅线图案上，且导电银浆的用量需要使得导电银浆能完全填充满导流柱孔而实现上下两面电极的导通，最终形成具有多个中低倍聚光太阳电池单元的太阳电池片；b）、然后，利用金刚石或激光切割的方式，将太阳电池片上的多个中低倍聚光太阳电池单元切割下来，切割的路径在钝化区域上，切割后每个中低倍聚光太阳电池单元中的受光区域周围均为钝化区域。