[发明专利]一种图像传感器芯片及其制造方法

摘要

本发明提供了一种图像传感器芯片及其制造方法，所述图像传感器芯片的制造方法与常规的刻蚀形成深沟道隔离槽，并在深沟道隔离槽中填充二氧化硅形成深沟道隔离不同，而是通过刻蚀像素的二氧化硅层，并在刻蚀后所形成的凹槽中形成单晶硅层，从而通过剩余的二氧化硅层形成深沟道隔离。如此，由于单晶硅层是刻蚀工艺后形成的，便可避免由深硅干式刻蚀引入的晶格损伤以及刻蚀污染的问题了；同时，剩余作为深沟道隔离的二氧化硅层也能够贯穿刻蚀后形成的单晶硅层。即深沟道隔离能够兼具像素间隔离较彻底以及晶格损伤较少、金属污染较轻的优点。

主权项

1.一种图像传感器芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供原始晶圆，所述原始晶圆在完成制造工艺后可形成多个芯片单元，每个芯片单元包括像素区和逻辑区，每个像素区包括多个像素单元，每个像素单元包括多个像素，所述原始晶圆包括单晶硅基底层及位于单晶硅基底层上的二氧化硅层；刻蚀间隔像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第一次凹槽区；在每个第一次凹槽区中形成单晶硅层；刻蚀剩余像素的二氧化硅层，形成多个间隔排布的第二次凹槽区；在每个第二次凹槽区中形成单晶硅层；其中，像素之间剩余的二氧化硅层作为深沟道隔离。