[发明专利]芯片保护环、半导体芯片、半导体晶圆及封装方法有效

专利信息
申请号: 201510960946.7 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN106898580B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 何明 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L23/04 分类号: H01L23/04;H01L21/56
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种芯片保护环、半导体芯片、半导体晶圆及封装方法,通过将每个接合焊垫附近的保护环的最顶层金属环断开,同时将次顶层金属环的尺寸缩小,使最顶层导电插塞不与次顶层金属环及下方的其他金属环接触,从而使最顶层金属环隔离悬空,使得在封装焊接时焊线即使与保护环最顶层金属环接触,也不会短路,在避免焊线间短路的同时仍能保证保护环的保护作用。
搜索关键词: 芯片 保护环 半导体 封装 方法
【主权项】:
1.一种芯片保护环,围绕一芯片并与所述芯片形成在同一半导体衬底上,其特征在于,包括由所述半导体衬底支撑的若干个依次堆叠的金属环以及设置于相邻金属环之间的导电插塞,且各个金属环均围绕所述芯片设置;最顶层金属环为不连续的金属环,在所述芯片的相邻接合焊垫之间断开;次顶层金属环的外边缘半径比最顶层金属环的外边缘半径小,次顶层金属环的内边缘半径比最顶层金属环的内边缘半径大,最顶层导电插塞分布在所述次顶层金属环的外围,仅与最顶层金属环接触,其余层的导电插塞连接相邻的金属环。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510960946.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top