[发明专利]芯片保护环、半导体芯片、半导体晶圆及封装方法有效
申请号: | 201510960946.7 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN106898580B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 何明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L21/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种芯片保护环、半导体芯片、半导体晶圆及封装方法,通过将每个接合焊垫附近的保护环的最顶层金属环断开,同时将次顶层金属环的尺寸缩小,使最顶层导电插塞不与次顶层金属环及下方的其他金属环接触,从而使最顶层金属环隔离悬空,使得在封装焊接时焊线即使与保护环最顶层金属环接触,也不会短路,在避免焊线间短路的同时仍能保证保护环的保护作用。 | ||
搜索关键词: | 芯片 保护环 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片保护环,围绕一芯片并与所述芯片形成在同一半导体衬底上,其特征在于,包括由所述半导体衬底支撑的若干个依次堆叠的金属环以及设置于相邻金属环之间的导电插塞,且各个金属环均围绕所述芯片设置;最顶层金属环为不连续的金属环,在所述芯片的相邻接合焊垫之间断开;次顶层金属环的外边缘半径比最顶层金属环的外边缘半径小,次顶层金属环的内边缘半径比最顶层金属环的内边缘半径大,最顶层导电插塞分布在所述次顶层金属环的外围,仅与最顶层金属环接触,其余层的导电插塞连接相邻的金属环。
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