[发明专利]绝缘栅双极晶体管的背面结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510961999.0 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105489638B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 戚丽娜;周东海;井亚会;张景超;刘利峰 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 常州金之坛知识产权代理事务所(普通合伙) 32317 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，在硅片的背面间隔设有背面沟槽，背面沟槽的槽壁与水平面之间的夹角α在60～88°，在背面沟槽的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层及沟槽状的P+型集电极层，沟槽状的N+型场截止层与N型衬底相连，沟槽状的P+型集电极层与N+型场截止层的槽底及侧壁相连，N+型场截止层的沟槽顶面和P+型集电极层的沟槽顶面与N+型集电极层相连，连接在N+型集电极层6上的背面的金属层5及设置在对应背面沟槽4内金属层5的凸起5‑1形成集电极。本发明能降低制造成本和碎片率，不需要借助薄片工艺即可实现场截止型绝缘栅双极晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 背面 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管的背面结构，其特征在于：在硅片(1)的背面间隔设有背面沟槽(4)，背面沟槽(4)的槽壁与水平面之间的夹角α在60～88°，在背面沟槽(4)的沟槽底部及侧壁通过注入形成沟槽状的N+型场截止层(2)及沟槽状的P+型集电极层(3)，沟槽状的N+型场截止层(2)与N型衬底相连，沟槽状的P+型集电极层(3)与N+型场截止层(2)的槽底及侧壁相连，N+型场截止层(2)的沟槽顶面和P+型集电极层(3)的沟槽顶面与N+型集电极层(6)相连，连接在N+型集电极层(6)上的背面的金属层(5)及设置在对应背面沟槽(4)内金属层(5)的凸起(5‑1)形成集电极。
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