[发明专利]一种极紫外光学元件表面污染层厚度控制方法及装置在审

专利信息
申请号: 201510962345.X 申请日: 2015-12-21
公开(公告)号: CN106249550A 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 邓文渊;金春水;喻波;姚舜;靳京城 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)44316 代理人: 郝明琴
地址: 130033 吉林省长春*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供的极紫外光学元件表面污染层厚度控制方法及装置,在真空环境中,通过实时检测极紫外光学元件表面的污染层厚度,当污染层厚度达到预设的第一阈值,即超出允许的范围时对污染层进行清洗,控制污染层的厚度在允许的范围之内,不需要对极紫外光学元件所处环境进行切换,控制过程简单。
搜索关键词: 一种 紫外 光学 元件 表面 污染 厚度 控制 方法 装置
【主权项】:
一种极紫外光学元件表面污染层厚度控制方法,其特征在于,应用于真空环境中,所述方法包括:获取极紫外光学元件表面的污染层厚度,其中,所述极紫外光学元件处于真空环境中;当所述污染层厚度达到预设的第一阈值时向所述真空环境中输入含氧气体对所述污染层进行清洗直至所述污染层厚度低于所述第一阈值。
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