[发明专利]一种基于LTCC技术的基片集成波导式铁氧体移相器有效
申请号: | 201510963086.2 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN105576327B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 杨青慧;郑向闻;安照辉;李元勋;张怀武;董师伶;郁国良 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/19 | 分类号: | H01P1/19 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种基于LTCC技术的基片集成波导式铁氧体移相器,属于微波通信器件领域。包括介质基板、铁氧体块和介质块,所述铁氧体块嵌入介质基板中且沿基片集成波导的传输方向贯穿介质基板,所述介质块嵌入铁氧体块中且沿基片集成波导的传输方向贯穿铁氧体块,介质基板、铁氧体块和介质块的中心相同;所述铁氧体块上绕制n匝螺线管线圈,螺线管线圈的两个端口之间施加电压脉冲。本发明基于LTCC技术的基片集成波导式铁氧体移相器与传统矩形波导式铁氧体移相器相比,体积大大减小,同时可以通过微带线等结构与有源电路连接,有利于实现移相器的小型化以及与其他微波有源电路的集成;且得到的铁氧体移相器具有插入损耗低和平均功率容量大的优异性能。 | ||
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【主权项】:
1.一种基于LTCC技术的基片集成波导式铁氧体移相器,包括介质基板、铁氧体块和介质块,所述介质基板的上表面设置有第一金属层,介质基板的下表面设置有第二金属层,所述介质基板上设置有两排相互平行的金属柱并且所述金属柱贯穿第一金属层、介质基板、第二金属层形成基片集成波导,其特征在于,所述铁氧体块嵌入所述介质基板中且沿基片集成波导的传输方向贯穿介质基板,所述介质块嵌入所述铁氧体块中且沿基片集成波导的传输方向贯穿铁氧体块;所述铁氧体块上绕制n匝螺线管线圈,以在铁氧体内形成磁场回路;在铁氧体移相器的宽度方向上,介质基板与介质块之间的铁氧体块的宽度a为铁氧体块的厚度h的0.8~1.2倍。
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