[发明专利]具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路

摘要

本发明公开了一种具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路，包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路；所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后，连接电压电源；所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4。本发明采用的是有源电感的结构，缓解了跨阻增益与带宽之间的制约关系。在相同工作带宽的同时可以获得更大的跨阻增益。因为采用的是有源电感，并没有增大版图的面积。

主权项

1.具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路，其特征是：包括前馈共栅跨阻放大器电路和有源电感电路；所述前馈共栅跨阻放大器电路的输出端依次串联上拉电阻R1和有源电感电路后，连接电压电源；所述前馈共栅跨阻放大器电路包括输入电源、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4；输入电源包括并联的电流源和电容，其输出端分别连接NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极，以及NMOS晶体管M4的漏极，并联的电流源和电容的另外一端连接电源电压Vss；NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极为信号输入端，NMOS晶体管M1的漏极连接上拉电阻R1，NMOS晶体管M2的漏极连接上拉电阻R2，为NMOS晶体管M3栅极的偏置；NMOS晶体管M3的漏极连接上拉电阻R3，为NMOS晶体管M1栅极的偏置，且NMOS晶体管M3的源极接地；NMOS晶体管M4的源极接地，NMOS晶体管M4的栅极和NMOS晶体管M2的栅极均连接电压电源Vb；上拉电阻R2和上拉电阻R3均连接电源电压VDD2；所述有源电感电路包括电阻R4和NMOS晶体管M5，NMOS晶体管M5的栅极连接电阻R4一端，源极连接上拉电阻R1，漏极连接电源电压VDD1， 电阻R4另外一端连接电源电压VDD1。