[发明专利]制造线栅偏振器的方法有效
| 申请号： | 201510965053.1 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106547043B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 郑俊豪;崔埈赫;崔大根;全素姬;李智惠;郑朱然;黄淳炯;成相根 | 申请（专利权）人： | 韩国机械研究院 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 汤慧华;郑霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及制造线栅偏振器的方法。制造线栅偏振器的方法包括：制备在一个表面上具有纳米结构主体的印章并且在所述一个表面上采用各向异性的气相沉积形成掩模层；在基质上形成金属膜；将在所述掩模层中的纳米结构主体的上部部分的掩模层转移至所述金属膜上；以及通过采用干法蚀刻移除在所述金属膜中未被所述掩模层覆盖的部分，将所述金属膜图案化为金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 偏振 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造线栅偏振器的方法，所述方法包括：制备在一个表面上具有纳米结构主体的印章并且在所述一个表面上采用各向异性的气相沉积形成掩模层；在基质上形成金属膜；将所述掩模层转移至所述金属膜上；以及通过采用干法蚀刻移除在所述金属膜中未被所述掩模层覆盖的部分，将所述金属膜图案化为金属线，其中所述纳米结构主体包括多个突出部分，采用各向异性的气相沉积形成掩模层包括通过在倾斜于所述印章的厚度方向的方向上进行各向异性的气相沉积，在所述多个突出部分中的每个的上表面和一个侧面形成掩模层，并且被转移至所述金属膜上的所述掩模层包括具有恒定的厚度的平坦部分和接触所述平坦部分的一个侧边缘的突出部。
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