[发明专利]利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法在审
| 申请号： | 201510965273.4 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105606332A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王丹;陈星;卢洪波;林键 | 申请（专利权）人： | 中国航天空气动力技术研究院 |
| 主分类号： | G01M9/02 | 分类号： | G01M9/02;G01K7/18 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 100074 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法，包括：按照传统的方法加工玻璃基底，对所述玻璃基底的镀膜面进行抛光；将得到的抛光的玻璃基底的镀膜面进行镀铂膜，并进行热处理；将得到的镀铂膜的玻璃基底卡设在可转动卡具上，利用激光直写技术扫描镀铂膜面的玻璃基底以得到具有预设图案以及特定宽度的铂电阻；对所述铂电阻进行银浆描涂引线操作，并经过热处理使银浆浆料烘干和固结。本发明方法制造整体式薄膜铂电阻传感器加工周期短、成品率高、大幅度提高了产品的生产效率和质量。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 激光 技术 制造 整体 薄膜 铂电阻 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种利用激光直写技术制造整体式薄膜铂电阻传感器的方法，包括以下步骤：步骤一、按照传统的方法加工玻璃基底，对所述玻璃基底的镀膜面进行抛光；步骤二、将所述步骤一得到的抛光的玻璃基底的镀膜面进行镀铂膜，并进行热处理；步骤三、将所述步骤二得到的镀铂膜的玻璃基底卡设在可转动卡具上，利用激光直写技术扫描镀铂膜面的玻璃基底以得到具有预设图案以及特定宽度的铂电阻；步骤四、对所述铂电阻进行银浆描涂引线操作，并经过热处理使银浆浆料烘干和固结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天空气动力技术研究院，未经中国航天空气动力技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510965273.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
