[发明专利]非依电性内存装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201510966548.6 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106710629B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄科颖 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/30 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供一种非依电性内存装置及其操作方法。非依电性内存装置包括非依电性记忆胞、程设电压产生电路、字线电压产生电路与共源线电压产生电路。非依电性记忆胞的控制端、第一端与第二端分别电性连接于字线、位线与共源线。程设电压产生电路提供程设电压至位线，以及检测位线的电流。字线电压产生电路提供字线电压至字线，其中字线电压的摆幅为字线高电压至字线低电压。共源线电压产生电路提供共源线电压至共源线。依据位线的电流，字线电压产生电路动态调整字线低电压，或是共源线电压产生电路动态调整共源线电压。本发明所提供的非依电性内存装置及其操作方法可以有效减少位线的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 产生电路 字线电压 线电压 共源 位线 字线 依电性内存 电压产生电路 动态调整 低电压 记忆胞 电性 电性连接 有效减少 第一端 高电压 控制端 漏电流 摆幅 源线 检测 | ||
【主权项】：
1.一种非依电性内存装置，其特征在于，所述非依电性内存装置包括：/n非依电性记忆胞；/n字线，电性连接于所述非依电性记忆胞的控制端；/n位线，电性连接于所述非依电性记忆胞的第一端；/n共源线，电性连接于所述非依电性记忆胞的第二端；/n程设电压产生电路，电性连接于所述位线，用以于程设期间提供程设电压至所述位线，以及检测所述位线的电流；/n字线电压产生电路，电性连接于所述字线，用以于所述程设期间提供字线电压至所述字线，其中所述字线电压的摆幅为字线高电压至字线低电压；以及/n共源线电压产生电路，电性连接于所述共源线，用以于所述程设期间提供共源线电压至所述共源线；/n其中所述字线电压产生电路受控于所述程设电压产生电路以随着所述位线的所述电流的增加而对应地调低所述字线低电压，或是所述共源线电压产生电路受控于所述程设电压产生电路以随着所述位线的所述电流的增加而对应地调高所述共源线电压。/n
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