[发明专利]基于数字电位器的忆阻器仿真器电路在审

专利信息
申请号: 201510967269.1 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN105450210A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 王光义;袁方;王晋;彭存建;张祥 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H03K19/00 分类号: H03K19/00;G11C13/00
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 王佳健
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于数字电位器的忆阻器仿真器电路。本发明根据HP实验室TiO2忆阻器的数学模型,对数学模型进行离散分析,获得了忆阻器数学模型的离散模型,根据所得出的离散数学模型,利用控制电路和数字电位器实现惠普实验室忆阻器模型。本发明提供的忆阻器仿真器包括数字电位器、高品质的仪表差分放大器、单片机。在无法获得纳米尺度单个孤立忆阻器器件的情况下,本发明提供的忆阻器仿真器可代替实际TiO2忆阻器进行忆阻器相关电路的设计与实验,也可用于其他需要忆阻器的领域。
搜索关键词: 基于 数字 电位器 忆阻器 仿真器 电路
【主权项】:
基于数字电位器的忆阻器仿真器电路,其特征在于:包括采用电阻、电流采样电路,电流补偿电路,MCU微控制器和数字电位器;采样电阻与数字电位器串联,其两端分别连接输入端(P1、P2);电流采样电路与采样电阻两端相连,获取流经采样电阻的电流值;电流补偿电路两端分别与电流采样电路、MCU微控制器的AD接口相连;MCU微控制器的IO管脚与数字电位器相连,用于控制数字电位器的电阻变化。
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