[发明专利]空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本发明无需通过长时间的湿法腐蚀或干法刻蚀工艺来形成空腔，并且空腔的形成是在金属淀积之前，不存在常规湿法腐蚀硅衬底形成空腔的工艺中对金属的腐蚀问题，此外，该空腔的形成方法比较简单，可与常规CMOS工艺兼容，适于规模化生产。

主权项

一种热电堆红外探测器的制作方法，其特征在于，包括：提供一P型掺杂的硅衬底；在所述硅衬底中形成N阱，所述N阱为环状结构；在所述N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，所述网格结构的边缘与所述N阱相连接；对所述N阱包围的硅衬底进行电化学腐蚀以形成多孔硅层；进行外延工艺以使所述多孔硅层发生迁移和重构形成空腔，且所述网格结构包含的空洞闭合以形成封闭所述空腔的外延层；在所述外延层上依次形成绝缘层；在所述绝缘层上形成热电堆，所述热电堆的热端位于所述空腔上方的绝缘层上，所述热电堆的冷端与所述硅衬底相连接。