[发明专利]硅基宽光谱探测器及制备方法

摘要

一种硅基宽光谱探测器及制备方法，该硅基宽光谱探测器，包括一SOI衬底，包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅，该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间，该二氧化硅填埋层的两侧形成台面，该顶层硅上面的两侧分别制作有p型掺杂区和n型掺杂区，中间为硅本征区；一二氧化硅窗口层，其制作在二氧化硅填埋层两侧的台面上及覆盖顶层硅的部分表面，对应所述p型掺杂区、n型掺杂区和硅本征区上的二氧化硅窗口层上开有窗口；一长波吸收层，其外延生长于二氧化硅窗口层中的硅本征区上；一绝缘介质层，其制作在二氧化硅窗口层及长波吸收层上；一p电极，其制作在顶层硅上面的p型掺杂区上；以及一n电极，其制作在顶层硅上面的n型掺杂区上。

主权项

一种硅基宽光谱探测器，包括：一SOI衬底，包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅，该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间，该二氧化硅填埋层的两侧形成台面，该顶层硅上面的两侧分别制作有p型掺杂区和n型掺杂区，中间为硅本征区；一二氧化硅窗口层，其制作在二氧化硅填埋层两侧的台面上及覆盖顶层硅的部分表面，对应所述p型掺杂区、n型掺杂区和硅本征区上的二氧化硅窗口层上开有窗口；一长波吸收层，其外延生长于二氧化硅窗口层中的硅本征区上，所述的长波吸收层的材料为纯锗、锗锡合金或锗硅合金；一绝缘介质层，其制作在二氧化硅窗口层及长波吸收层上；一p电极，其制作在顶层硅上面的p型掺杂区上；以及一n电极，其制作在顶层硅上面的n型掺杂区上。