[发明专利]一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法

摘要

本发明涉及一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法，将锑化铟样片低温恒温器中，待温度稳定后，将入射线偏振太赫兹波经一线偏振片提高偏振度，聚焦后照射至锑化铟样片的表面，并将一可调稳定的磁场垂直加载于锑化铟样片。根据入射太赫兹的频率，通过调整磁场的入射加载方向以及大小，完成太赫兹圆偏振光的获取。本发明所提出的一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法，具有调制频率宽、圆偏振出射完美以及偏振器件可调谐的优点。

主权项

1.一种基于窄带半导体锑化铟的太赫兹圆偏振光产生方法，其特征在于，将一锑化铟样片置于低温恒温器中，待温度稳定后，将入射线偏振太赫兹波经一线偏振片提高偏振度，聚焦后照射至所述锑化铟样片的表面，并将一可调稳定的磁场垂直加载于所述锑化铟样片，并根据所述入射偏振太赫兹波的频率，通过对应调整所述磁场的大小和加载方向，完成太赫兹圆偏振光的获取；所述锑化铟样片为锑化铟窄带半导体样品，电子浓度n＝2.3×1014cm‑3，迁移率μ＝7.7×104cm2/Vs at 2K，能隙Eg＝0.23eV；磁场为沿入射方向垂直于锑化铟样片；在磁场等于0.5T时，在频率范围0.75‑1.2THz，左旋圆偏振光透射为零，被全反射，而右旋圆偏振完美输出；左旋圆偏振全反射发生频率区间随磁场增加向高频移动；若磁场加载方向与入射太赫兹方向相反，则右旋圆偏振被全反射，出射为左旋圆偏振；令入射太赫兹的频率处于对应磁场的全反射频率范围内，则能将线偏振太赫兹转换为100％左/右圆偏振太赫兹。