[发明专利]晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法

摘要

本发明公开了晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，首先在电池硅片背面印刷点接触图案形成局部接触的第一层铝电极，然后在其上制备钝化层，然后在钝化层上再印刷整面形状的导电用铝电极浆料形成第二层铝电极，最后进行烘干和高温烧结，高温烧结过程中第一次印刷的局部接触铝电极浆料同硅片反应生成点接触背电场，同时第一次印刷的铝电极浆料和第二次印刷的整面电极浆料在高温烧结的过程中同夹在其间的钝化层发生反应将其破坏，从而使得上下两层铝电极导通，形成金属导电接触，从而引出电池电流。本发明提供的制备方法，方法工艺简单，适用于大规模的晶体硅太阳能电池生产，不采用激光打孔，避免对硅片的损伤，适用于多晶硅太阳能电池。

主权项

1.晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在清洗后的电池硅片上印刷具有点或线图案的铝浆形成局部接触的第一层铝电极，然后烘干或者高温烧结；(2)在电池硅片上印刷有步骤(1)所述的第一层铝电极的一面制备钝化层；(3)在步骤(2)所述钝化层上整面印刷用于电流导出的第二层铝电极并烘干；(4)将步骤(3)得到的电池硅片进行高温烧结，制得局域化背电场，点接触电极及电能收集用导通电极；所述步骤(1)和所述步骤(3)中使用的铝电极浆料为不同配方的铝电极浆料，所述步骤(1)中的使用的铝电极浆料由太阳能电池铝电极浆料、硅烷偶联剂及银电极用玻璃粉混合而成，所述步骤(3)中使用的铝电极浆料为太阳能电池铝电极浆料。