[发明专利]金属镍基底上制备高密集微细镍圆柱阵列的方法有效
申请号: | 201510969313.2 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN105603468B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 杜立群;赵明;陶友胜;罗磊;李庆峰;鲍其雷 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C25D1/00 | 分类号: | C25D1/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 赵连明 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种金属镍基底上制备高密集微细镍圆柱阵列的方法,属于微制造技术领域,涉及金属基底上微电铸金属阵列器件类,特别涉及到一种基于UV‑LIGA工艺在金属镍基底上制备高密集型微细镍圆柱阵列的方法。其特征是:在金属镍基底上,经过两次匀胶、曝光及超声显影等工艺制作SU‑8胶模,再通过超声电铸镍、研磨、煮酸等工艺实现圆柱阵列的制作。最后通过退火工艺去除圆柱内的残余应力。本发明的有益效果是:通过超声显影和超声电铸等手段解决了现有方法中盲孔电铸中的“失铸”以及微圆柱阵列与基底的结合力差等问题。制作的圆柱阵列直径小于100μm、柱间距小于200μm、高度达数百微米。本发明具有工艺简单、圆柱与金属基底结合力好、表面形貌完好、微柱阵列的密度大等优点。 | ||
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【主权项】:
1.在金属镍基底上制备高密集型微细镍圆柱阵列的方法,烘箱,超声清洗机、显影液及其容器;包括在金属镍基底上,经过两次匀胶、曝光及超声显影工艺制作SU‑8胶模(3),再通过超声电铸镍、研磨、煮酸工艺实现圆柱阵列的制作;最后通过退火工艺去除圆柱阵列(2)的残余应力;具体步骤如下:步骤一,镍基板预处理:首先使用研磨抛光机对金属镍基板进行研磨抛光处理,去除表面缺陷获得镜面镍基板(1),镍基板(1)表面粗糙度小于0.04μm;然后使用丙酮棉球擦拭,接着依次使丙酮、乙醇溶液对镍基板(1)进行超声清洗;超声清洗后使用去离子水冲洗,冲洗干净后吹干,最后放入烘箱中烘干备用;步骤二,SU‑8胶模制作:两次甩胶工艺在台式匀胶机上进行,通过设置不同的转速、时间来得到厚度不同的两层SU‑8胶模,其中第一层SU‑8胶模生成后,经过自平整、进行第一次前烘;然后是第二次甩胶,第二次甩胶是为了让SU‑8胶模(3)表面更加平整,并进行第二次前烘;然后,在曝光机上用带有预设圆柱阵列图案的掩膜板(4)对SU‑8胶模(3)曝光,曝光后对SU‑8胶模(3)进行后烘;之后,将SU‑8胶模(3)浸入盛有SU‑8显影液的容器内进行显影,显影在超声环境下进行,最终得到可用于超声电铸的SU‑8胶模结构(3);步骤三,超声微电铸镍:采用无背板工艺在镍基板(1)上直接进行圆柱阵列的电铸;电铸过程在有电铸液的超声环境中进行,同时施加阴极移动和循环过滤;电铸后生成圆柱阵列(2);步骤四,研磨:通过一般的研磨工艺去除圆柱阵列(2)表面的缺陷获得平整表面;步骤五,去除SU‑8胶:将待去胶的镍基板(1)和圆柱阵列(2)放入煮沸的浓硫酸中,待SU‑8胶模(3)全部溶解后取出,使用去离子水清洗后得到圆柱阵列(2)和镍基板(1);步骤六,真空退火:对去胶后的圆柱阵列(2)和镍基板(1)进行高温真空退火。
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