[发明专利]具有场电极的晶体管器件有效
| 申请号： | 201510969717.1 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105720102B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | C·坎彭;M·聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张昊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了一种晶体管器件。晶体管器件包括：多个场结构，其在半导体本体中限定多个半导体台面区域，并且每一个均包括场电极和场电极电介质；多个栅极结构，位于每一个半导体台面区域中，其中每个栅极结构均包括栅电极和栅极电介质，并且被布置在半导体台面区域的沟槽中；多个本体区域、多个源极区域和漂移区域。每个本体区域均邻接多个栅极结构中的至少一个的栅极电介质，并且位于所述多个源极区域中的一个源极区域和漂移区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，包括：多个场结构，在半导体本体中限定多个半导体台面区域，并且每个场结构均包括场电极和场电极电介质；多个栅极结构，位于每个半导体台面区域中，其中每个栅极结构均包括栅电极和栅极电介质并且被布置在所述半导体台面区域的沟槽中；以及多个本体区域、多个源极区域和漂移区域，其中每个本体区域均邻接所述多个栅极结构中的至少一个栅极结构的栅极电介质，并且位于所述多个源极区域中的一个源极区域与所述漂移区域之间，其中所述多个本体区域包括第一组的本体区域以及第二组的本体区域，其中所述第一组中的每个本体区域均位于所述多个栅极结构中的两个相邻栅极结构之间，其中所述第二组中的每个本体区域均位于所述多个栅极结构中的一个栅极结构与所述多个场结构中的一个场结构之间，并且其中所述第二组中的每个本体区域的宽度小于所述第一组中的一个本体区域的宽度。
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