[发明专利]一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉在审
| 申请号： | 201510970073.8 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105525342A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 司佳勇;周浩;尚繁;刘亚静 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 王占华 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及单晶硅制备技术领域，尤其是涉及熔融液提拉法的大尺寸单晶生长技术领域，具体公开了一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法及单晶炉，通过优化单晶炉生产工艺及氩气吹扫方式，能够控制单晶硅生长界面保持良好的温度梯度，提高热场稳定性，提高单晶生长速率同时保证稳定的单晶质量，提高了产能，降低了能耗和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法制 尺寸 单晶硅 方法 单晶炉 | ||
【主权项】：
一种直拉法制备大尺寸单晶硅棒的方法，包括化料、引晶、放肩、等径、收尾和冷却，其特征在于：其等径生长阶段单晶炉热场排气方法为：氩气气流经导流筒(1)内部进入热场系统，对单晶硅棒生长界面进行吹扫，再沿着导流筒外壁(11)向上到达排气管路(4)进气口(42)，气流在排气管路(4)内穿过热场系统保温筒外部的保温材料层(3)，经由位于单晶炉炉底的排气管路(4)的喇叭口形出气口(44)排出，以便降低单晶生长界面的温度梯度和热场内热量损失。
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