[发明专利]一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法

摘要

本发明属于电子封装领域，尤其涉及一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征包括：在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜,其上贴装只有正面带有多层再布线层的TSV转接板;TSV转接板上倒装焊有裸片或多叠层芯片组件;对载片上的TSV转接板及裸片或多叠层芯片组件进行塑封;去除底部载板及临时键合胶或热剥离薄膜;在转接板背面涂覆第一层钝化层,并开窗;采用物理气相沉积第一层种子层Ti/Cu;电镀一层Cu质RDL；涂覆第二层钝化层，并开窗；再制造第二层种子层Ti/Cu；电镀Cu基；植焊球。本发明制造出的结构可实现系统级封装，降低生产成本；有利于减小翘曲，减小芯片偏移量，提高工艺的可行性及封装体的可靠性。

主权项

一种基于载体的扇出2.5D/3D封装结构的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）准备材料，制备带有再布线层Ⅰ的TSV转接板，TSV转接板背面减薄、露镀铜并切单；（2）在载板上涂覆临时键合胶或热剥离薄膜；（3）将TSV转接板正面朝上、阵列粘贴至载板上，布满载板；（4）将倒装芯片倒装焊到每个转接板上，并填充底部填充胶；（5）通过转注成型或压缩成型工艺或其他灌封工艺将塑封胶封到每个转接板之间、芯片之间以及芯片的上表面，并进行固化处理；（6）对载板进行拆键合，去掉载板及临时键合胶或热剥离薄膜；（7）在转接板背面制作一层钝化层Ⅰ，开窗漏出转接板通孔背面的铜；（8）溅射一层种子层Ⅰ，然后在种子层Ⅰ上面涂覆光刻胶，显露出用于制作电镀线路的图形；（9）采用电镀方法，在光刻胶显露的图形中制作一层再布线层Ⅱ，电镀Cu同时填充了导通孔；去除光刻胶及其底部的种子层；（10）在再布线层Ⅱ上面涂覆钝化层Ⅱ，开窗；（11）溅射一层种子层Ⅱ，在其上面涂覆光刻胶，显露出图形可制作UBM底部金属层；（12）采用电镀方法制作UBM底部金属层Cu基，去除光刻胶及其底部的种子层；（13）在铜基上植BGA焊球；（14）切片并进行测试，即可。