[发明专利]一种场截止型沟槽栅IGBT器件在审
| 申请号： | 201510970357.7 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105428408A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;向勇;孔梓玮;孔晓李;薛鹏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/51 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，特别涉及一种场截止型沟槽栅IGBT器件。本发明的截止型沟槽栅IGBT器件，其特征在于，沟槽栅结构位于N+发射区和P型体区中的部位由栅氧化层和多晶硅构成，所述栅氧化层的侧面与N+发射区和P型体区接触，多晶硅位于两侧的栅氧化层之间，栅氧化层和多晶硅的上表面与金属阴极接触；沟槽栅结构位于N型载流子存储区和N-漂移区中的部分由介质层构成。本发明的有益效果为，与常规的沟槽栅CS-IGBT器件相比，本发明在保持耐压不变的情况下，提高了载流子存储区的掺杂浓度，使得器件导通时饱和压降减小了近20％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 截止 沟槽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种场截止型沟槽栅IGBT器件，包括从下至上依次层叠设置的金属阳极(11)、P+集电区(1)、N型场截止层(2)、N‑漂移区(3)、N型载流子存储区(4)、P型体区(5)和P+接触区(6)；所述P+接触区(6)中具有N+发射区(7)，所述N+发射区(7)上表面具有金属阴极(12)；还包括沟槽栅结构，所述沟槽栅结构垂直贯穿N+发射区(7)、P型体区(5)、N型载流子存储区(4)后延伸入N‑漂移区(3)中；其特征在于，所述沟槽栅结构位于N+发射区(7)和P型体区(5)中的部位由栅氧化层(8)和多晶硅(9)构成，所述栅氧化层(8)的侧面与N+发射区(7)和P型体区(5)接触，多晶硅(9)位于两侧的栅氧化层(8)之间，栅氧化层(8)和多晶硅(9)的上表面与金属阴极(12)接触；所述沟槽栅结构位于N型载流子存储区(4)和N‑漂移区(3)中的部分由介质层(10)构成。
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