[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种CMOS器件及其制备方法。CMOS器件包括依次层叠设置的基板、第一金属层、绝缘层及第一类型金属氧化物半导体层；还包括分别间隔设置在绝缘层上的第一、第二及第三金属部，第一及第二金属部间隔设置在第一类型金属氧化物半导体层两侧且均与第一类型金属氧化物半导体层接触；设置在第二金属部与第三金属部之间的间隙，以及邻近间隙的第二金属部及第三金属部上的第二类型有机半导体层；设置在第一金属部、第二金属部及第三金属部、第一金属部与第二金属部之间的第一类型金属氧化物半导体层、以及第二类型有机半导体层上的钝化层；设置在钝化层上且对应第二类型有机半导体层的第三金属层。

主权项

一种互补金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述互补金属氧化物半导体器件包括：基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；设置在所述第一表面中部的第一金属层；设置在所述第一金属层以及未覆盖所述第一金属层的所述第一表面的绝缘层；设置在所述绝缘层上且对应所述第一金属层设置的第一类型金属氧化物半导体层；分别间隔设置在所述绝缘层上的第一金属部、第二金属部及第三金属部，所述第一金属部及所述第二金属部间隔设置在所述第一类型金属氧化物半导体层两侧且均与所述第一类型金属氧化物半导体层接触，所述第二金属部设置在所述第一金属部与所述第三金属部之间，其中，所述第一金属部、所述第二金属部及所述第三金属部定义为第二金属层；第二类型有机半导体层，所述第二类型有机半导体层设置在所述第二金属部与所述第三金属部之间的间隙，以及邻近所述间隙的第二金属部及所述第三金属部上；钝化层，设置在所述第一金属部、所述第二金属部及所述第三金属部、所述第一金属部与所述第二金属部之间的第一类型金属氧化物半导体层、以及所述第二类型有机半导体层上；第三金属层，设置在所述钝化层上且对应所述第二类型有机半导体层设置。