[发明专利]一种有机混合薄膜宽光谱有机-无机光敏二极管有效
申请号: | 201510970565.7 | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN106898695B | 公开(公告)日: | 2019-10-01 |
发明(设计)人: | 彭应全;梁圆龙;吕文理;赵飞宇;王颖 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 730000 甘肃省兰*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机混合薄膜宽光谱有机‑无机光敏二极管的设计与制备方法。其特征在于它由背面(非抛光面)制备有金属背电极薄膜的掺杂硅(兼做衬底)、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜组成,从上至下,其顺序依次是背电极薄膜、掺杂硅、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜。有机混合薄膜由两种以上光吸收光谱范围互补的有机光敏材料组成。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 混合 薄膜 光谱 无机 光敏 二极管 | ||
【主权项】:
1.一种有机混合薄膜宽光谱有机‑无机光敏二极管,其特征在于它由非抛光面的背面制备有金属背电极薄膜兼作衬底的掺杂硅、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜组成,从下至上,其顺序依次是背电极薄膜、掺杂硅、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜;有机混合薄膜宽光谱有机‑无机光敏二极管具体制备过程如下:a)用标准工艺清洗掺杂硅;b)在掺杂硅背面用真空热蒸发方法制铝电极;c)用真空蒸发方法在掺杂硅抛光面上制备三组份有机混合薄膜PTCDA:CuPc:PbPc作为光吸收层;d)用真空蒸发、掩膜蒸镀的方法在光敏层上制备叉指金薄膜作为顶电极,电极面积可通过掩膜板的图形限定;e)将制作的器件封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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