[发明专利]硒碲合金半导体微米线的制备方法

摘要

本发明公开硒碲合金半导体微米线的制备方法。该方法首先是选择一种玻璃材料，使此玻璃的加热拉丝温度在硒碲合金半导体液态温度范围内；其次将玻璃冷加工成玻璃管，并将混合均匀的硒粉和碲粉填充到玻璃管中，而后封闭玻璃管两端；第三步是将组装好的玻璃管在光纤拉丝塔上进行加热、拉丝，通过调节拉丝参数，使丝径达到纳米和微米量级；第四步是将拉制好的硒碲合金芯/玻璃包层的细丝浸泡在一种酸性溶液中，使玻璃包层被酸溶液腐蚀掉，腐蚀完成后即得到硒碲合金半导体微米线。本发明的制备硒碲合金半导体微米线工艺简单，微米线长度大且直径均匀。硒碲合金半导体微米线的组分（硒和碲比例）、直径和长度可通过控制拉丝参数来调节。

主权项

硒碲合金半导体微米线的制备方法，其特征在于硒碲合金半导体超长微米线的组分可调，即组分变化为Se_xTe_1‑x ，0 ≤ x≤ 1；制备时将硒粉和碲粉混合均匀并紧密地填充到玻璃管即包层玻璃中，密封管的两端，成光纤预制棒；然后采用光纤拉制技术，将光纤预制棒拉制成微米细丝；细丝的外层为玻璃，细丝的芯为硒碲合金。