[发明专利]次常压无掺杂硅玻璃成膜方法有效
| 申请号： | 201510971895.8 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105551962B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 严玮;刘立成;周俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种次常压无掺杂硅玻璃成膜方法，通过渐进式压力管控，成膜时反应腔内压力达到600Torr，同时控制反应气体流量以防止气流扰动产生颗粒问题。形成的氧化膜具有良好的保形性，颗粒好，膜厚可控，适合量产。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 掺杂 玻璃 方法 | ||
【主权项】：
1.一种次常压下无掺杂硅玻璃成膜方法，其特征是，通过渐进式压力管控，成膜时压力达到600Torr；所述的渐进式压力管控，是反应腔在氧气和氦气氛围，400℃条件下，分步进行：第一步，控制节流阀处于半开启状态；第二步，当反应腔压力上升达到200Torr时，本步骤停止；第三步，当反应腔压力上升达到400Torr时，本步骤停止；第四步，当反应腔压力上升达到500Torr时，本步骤停止；第五步，控制反应腔压力继续上升，在20S时间内达到600Torr时停止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510971895.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
