[发明专利]一种提高硅片性能的方法有效
申请号: | 201510973553.X | 申请日: | 2015-12-21 |
公开(公告)号: | CN106898541B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 王道强;陈宏胤 | 申请(专利权)人: | 扬州虹扬科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 11514 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马丽娜 |
地址: | 225116 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高硅片性能的方法,主要由以下步骤构成:原硅片清洗、排磷纸、磷扩、分片、单面喷砂、涂硼前清洗、涂硼、硼扩、硼分片、双面喷砂、镀镍前清洗、一次镀镍、镍烧结、二次镀镍,本发明利用中性纸在排磷纸工序中不同功能的使用以及泡沫垫在分片站的使用,本发明方法简单,且产品性能好。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 硅片 性能 方法 | ||
【主权项】:
1.一种提高硅片性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n(1)原硅片清洗:将原硅片依次通过氢氟酸溶液、氢氧化钾溶液、哈摩粉溶液、热纯水超声清洗工序进行表面清洗,然后烘干;/n(2)排磷纸:将第一中性纸对折后,放置在石英舟的石英棒上,硅片与石英棒之间通过所述第一中性纸隔离,其中石英棒上方的硅片采用以下方式进行排列:磷纸、硅片、第二中性纸、硅片、磷纸从左往右依次排列叠好;/n(3)磷扩:将叠好的硅片的石英舟放入石英管中进行预热,完成预热后,再放入磷高温炉进行加热,加热完成后,取出自然冷却,等待分片;/n(4)分片:将硅片放入氢氟酸液中浸泡,然后,对硅片进行清洗之后,将硅片放入异丙醇溶液中浸泡,浸泡完成后,将硅片进行烘烤,烘烤完成后,进行分片;/n(5)单面喷砂:将硅片送入真空吹砂室中进行单面喷砂;/n(6)涂硼前清洗:将硅片依次在纯水和哈摩粉溶液中进行超声清洗,之后,再放入常温纯水进行清洗,清洗完成后,通过混酸腐蚀,再经过常温纯水冲洗和哈摩粉超声清洗,清洗完成之后,将硅片甩干、烘干;/n(7)涂硼:将硼液均匀的涂在旋转的硅片的未涂硼的一面上,将涂好的硅片进行烘烤之后,在硅片的附磷面上倾洒铝粉,将硅片叠于石英舟上;/n(8)扩硼:将载有硅片的石英舟放入扩散炉中加热,然后进行常温冷却;/n(9)双面喷砂:将硅片放入真空吹砂室进行双面喷砂;/n(10)镀镍前清洗:将喷砂后的硅片放入氢氧化钾溶液中浸泡,然后依次用纯水清洗,哈摩粉溶液超声清洗两次,热纯水继续超声清洗,最后用纯水冲洗;/n(11)通过以上方法可以得到一个性能较好的硅片,最后进行一次镀镍、镍烧结和二次镀镍。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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