[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效

专利信息
申请号: 201510974153.0 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN106904565B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 阮炯明;张冬平 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 高伟;冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供基底,在所述基底上形成有牺牲材料层,在所述牺牲材料层中形成有延伸到所述基底中的第一沟槽;步骤S2:在所述牺牲材料层和所述第一沟槽中形成主悬梁臂材料层并图案化,以形成主悬梁臂;步骤S3:继续沉积所述牺牲材料层,以覆盖所述主悬梁臂;步骤S4:图案化所述牺牲材料层和所述基底,以在所述第一沟槽的一侧形成第二沟槽;步骤S5:在所述牺牲材料层上和所述第二沟槽中形成副悬梁臂,以覆盖所述牺牲材料层;步骤S6:去除所述牺牲材料层,以形成空腔。本发明所述MEMS器件中当副悬梁臂产生过载时,主悬梁臂的设计,可以适当起到缓冲与支撑作用,保护副悬梁臂根部防止断裂。
搜索关键词: 牺牲材料层 主悬梁 基底 悬梁臂 电子装置 图案化 制备 支撑作用 臂材料 沉积 覆盖 过载 缓冲 空腔 去除 断裂 延伸
【主权项】:
1.一种MEMS器件,包括:基底;副悬梁臂,所述副悬梁臂的悬臂位于所述基底的上方,所述副悬梁臂的根部嵌于所述基底中;空腔,所述空腔位于所述副悬梁臂的悬臂和所述基底之间;主悬梁臂,所述主悬梁臂的悬臂位于所述空腔内,所述主悬梁臂的根部嵌于所述空腔下方的所述基底中,所述主悬梁臂用于在所述副悬梁臂产生过载时对所述副悬梁臂进行缓冲和支撑。
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